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还在为嵌入式系统或数据密集型设备的存储瓶颈而烦恼吗？MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R正是您期待的解决方案。这颗美光科技的128Gb并行接口NAND闪存芯片，能为您提供一个高速、海量且非易失的数据存储核心，轻松容纳庞大的程序代码、用户数据或实时记录的信息。

它让您的设备告别存储空间不足的尴尬，其稳定的性能和宽泛的工作电压（2.7V-3.6V）及温度范围（0°C-70°C），确保在各种应用场景下都能高效、可靠地运行。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子，选择它，就是为您的产品选择了坚实的数据基石。

• 型号:MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R，Micron（美光）产品一站式供应商。