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还在寻找一颗能同时满足大容量与高速度需求的存储核心吗？MT29F128G08CBCCBH6-6R:C正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，时钟频率高达166MHz，能轻松应对海量数据的快速写入与读取，让您的设备数据处理如行云流水般高效。

它为您提供坚实的非易失存储解决方案，2.7V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的出色稳定性和可靠性。无论是用于需要大量数据缓存的工业设备，还是追求持续高性能的嵌入式系统，它都能成为您产品中值得信赖的“数据仓库”，让您专注于核心功能开发，无需为存储性能担忧。

• 型号:MT29F128G08CBCCBH6-6R:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F128G08CBCCBH6-6R:C，Micron（美光）产品一站式供应商。