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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D将彻底改变您的体验。这颗128Gb大容量NAND闪存芯片，凭借其并联接口和167MHz的高时钟频率，能为您提供疾风骤雨般的数据读写能力，让您的应用加载更快、系统响应更迅捷，轻松应对海量数据处理的挑战。

它采用宽电压（2.7V-3.6V）供电和宽温（-40°C至85°C）设计，让您的产品在各种严苛环境下都能稳定高效运行，极大地提升了设备的适应性和可靠性。无论是追求极致性能的消费电子，还是要求常年无休的工业设备，它都是您构建强大存储系统的理想核心，让您的产品脱颖而出。

• 型号:MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
• MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D，Micron（美光）产品一站式供应商。