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还在为寻找一颗既能承载海量数据，又能保证高速稳定读写的核心存储芯片而烦恼吗？MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR正是您期待的答案。这颗128Gb（16Gx8）容量的NAND闪存芯片，采用并联接口，能以高达100MHz的时钟频率高效运作，轻松应对大数据流的写入与读取挑战，让您的设备运行如飞。

它能在2.7V~3.6V的宽电压范围内稳定工作，适应复杂的供电环境，确保数据安全无虞。紧凑的132-TBGA表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，助力产品设计更轻薄、更高效。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或嵌入式系统注入一颗强劲可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-TBGA
• 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
• MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。