我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储芯片吗？MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存，采用并联接口，时钟频率高达100MHz，能轻松应对海量数据的快速读写需求，让您的设备数据处理能力飞跃提升。

它采用非易失性存储技术，确保断电后数据安全无虞。2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，赋予了它出色的环境适应性。无论是用于工业控制、网络通信还是高端消费电子，它都能提供稳定高效的存储支持，简化您的设计，提升产品整体竞争力。

• 型号:MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-TBGA
• 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
• MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。