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还在寻找能同时满足海量存储与高速读写的核心元件吗？MT29E2T08CTCCBJ7-6:C就是您期待的答案。这颗美光出品的2TB并行NAND闪存芯片，旨在让您的设备轻松驾驭庞大数据流。其高达2Tb的惊人容量，如同为您的系统配备了一个永不枯竭的数据海洋，而167MHz的时钟频率与并联接口，则构筑了高效的数据高速公路，确保信息存取迅捷如风。

它采用工业级宽温设计（0°C ~ 70°C）和宽电压供电（2.7V ~ 3.6V），让您的产品在各种复杂环境下都能稳定运行，可靠性毋庸置疑。无论是用于加速服务器响应、提升专业设备性能，还是构建高可靠性的存储系统，这颗芯片都能成为您最坚实的后盾，助您高效实现产品构想，赢得市场先机。

• 型号:MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2TB PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Tb
• 存储器组织:256G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29E2T08CTCCBJ7-6:C，Micron（美光）产品一站式供应商。