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您是否在寻找一颗能扛起海量数据存储重任，同时保持高速响应的核心芯片？MT29E256G08CMCDBJ5-6:D就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存，采用高效的并联接口，时钟频率高达167MHz，能让您的设备轻松实现快速的数据读写与处理，显著提升整体运行效率。

它为您提供高达32G x 8的稳定存储空间，工作电压范围宽泛（2.7V~3.6V），并能在0°C至70°C的常规温度下可靠工作。无论是用于加固工业设备的数据记录，还是集成到需要大容量缓存的高性能计算模块中，它都能让您的设计游刃有余。其132-TBGA的表面贴装封装，更便于您实现紧凑、高效的PCB布局，是打造可靠、高性能存储解决方案的坚实基石。

• 制造商产品型号：MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-TBGA
• MT29E256G08CMCDBJ5-6:D，Micron（美光）产品一站式供应商。