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还在为海量数据存储寻找一颗可靠的心脏吗？MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的高性能NAND闪存芯片，拥有高达1.5Tb的磅礴容量，能轻松为您的大数据应用、企业级存储服务器或高性能计算设备提供海量、非易失的数据仓库。

它采用高效的并行接口和稳定的2.5V~3.6V供电，让您的系统设计更灵活，数据吞吐更高效。其坚固的132-VBGA封装和宽温工作特性，确保它在各种环境下都能持久稳定地守护您的核心数据。选择它，就是为您的产品注入一颗经久耐用的“数据基石”。

• 型号:MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1.5Tb
• 存储器组织:192G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。