我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统或高端设备寻找一颗既能海纳百川又能快速响应的存储核心吗？MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的128Gb并行NAND闪存芯片，能轻松为您构建起庞大而稳固的数据基地，无论是复杂的程序代码、大量的用户数据还是持续产生的系统日志，它都能高效容纳并确保随时快速存取。

它采用可靠的并联接口，让数据交换更为直接高效，配合2.7V-3.6V的宽电压支持，有效帮助您优化系统功耗与设计弹性。表面贴装的132-VBGA封装形式，让您能更从容地应对紧凑的板卡空间布局，实现高密度集成。选择它，就是为您的产品选择了一份历经考验的存储保障，让设备运行更稳定，数据处理更从容。

• 型号:MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E128G08CECDBJ4-6:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。