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还在为嵌入式系统寻找一颗既强大又可靠的“数据心脏”吗？MT29E128G08CECDBJ4-6:D将彻底改变您的存储体验。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能为您提供高速、海量的非易失性存储空间，让您的设备轻松容纳复杂的操作系统、丰富的应用程序和大量的用户数据。

它能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，并适应0°C至70°C的工业级温度环境，确保您的产品在各种条件下都运行如常。紧凑的132-VBGA表面贴装封装，让您能够设计出更小巧、更集成的产品。选择它，就是为您的项目选择了一份经过验证的可靠性与高效能，让开发更顺畅，让产品更具市场竞争力。

• 型号:MT29E128G08CECDBJ4-6:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29E128G08CECDBJ4-6:D，Micron（美光）产品一站式供应商。