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还在为设备中存储与内存的协同效率而烦恼吗？MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR为您提供一站式的高效解决方案。它将8Gb大容量的NAND Flash与4Gb高速的移动LPDRAM集成于单一的168-VFBGA封装内，让您的设计瞬间变得简洁而强大。

这颗芯片能为您做什么？它让您的设备拥有一个既庞大又迅捷的“数字大脑”。NAND Flash部分可靠地保存您的所有程序、数据和媒体文件，而LPDRAM部分则以200MHz的高速响应，确保系统运行和多任务处理流畅无比。其1.7V~1.95V的低压特性，更能帮助您轻松实现出色的能效管理，显著延长便携式设备的续航时间。

• 型号:MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-VFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 8GBIT PAR 168VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:8Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:512M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-VFBGA
• 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
• MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。