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MT16VDDF6464HG-40BG2 零件图片(仅供参考)

MT16VDDF6464HG-40BG2
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MT16VDDF6464HG-40BG2 规格参数

还在为嵌入式系统或移动设备寻找那颗‘恰到好处’的内存芯吗?MT16VDDF6464HG-40BG2就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的512MB DDR SDRAM模块,以400MT/s的疾速响应,让您的设备告别卡顿,实现多任务流畅切换与数据的高速吞吐。

它采用标准的200-SODIMM封装,让您能够轻松、快速地将其集成到各类紧凑型设计中,极大地缩短了您的开发周期。无论是升级现有产品还是开发新一代设备,它都能为您提供稳定可靠的内存基础,确保系统长时间高效运行,全面提升终端用户的使用体验。

  • Micron美光半导体完整型号: MT16VDDF6464HG-40BG2
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE SDRAM DDR 512MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 512MB
  • 速度: 400MT/s
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
  • MT16VDDF6464HG-40BG2,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT16VDDF6464HG-40BG2 基本参数:

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