我们为全球各个行业提供Micron（美光） M58WR064KB70ZB6F TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起系统启动与高速数据存取重任的存储芯片吗？M58WR064KB70ZB6F TR就是您的理想答案。这颗美光科技的64Mb并行NOR闪存，能以高达66MHz的速度运行，并实现70ns的极速访问，让您的系统告别等待，实现指令与数据的闪电般加载。

它专为严苛环境设计，支持-40°C至85°C的工业级宽温工作范围，并采用1.7V~2V的低电压供电，在保证强悍性能的同时，有效控制功耗，延长电池设备续航。无论是用于存储关键启动代码，还是作为实时数据缓冲区，它都能让您的设计运行更高效、更稳定、更可靠。

• 型号:M58WR064KB70ZB6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7.7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:66 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
• M58WR064KB70ZB6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。