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还在寻找一颗能扛起系统代码即时执行与快速启动重任的存储芯片吗？M58LT256KSB8ZA6E正是您期待的答案。这颗来自美光科技的256Mb并行NOR闪存，凭借其高达52MHz的运行频率和仅85ns的极速访问时间，能让您的系统实现闪电般的启动和数据读取，显著提升整体响应效率。

它采用1.7V~2V低电压设计，帮助您有效降低设备功耗，同时其宽广的-40°C至85°C工业级工作温度范围，确保在严苛环境下依然稳定可靠。无论是工业控制、汽车电子还是网络通信设备，它都能为您提供高效、非易失的代码存储解决方案，让您的产品设计更具竞争力。

• 型号:M58LT256KSB8ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M58LT256KSB8ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。