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想象一下，您的嵌入式设备需要瞬间唤醒并执行复杂任务，核心代码的读取速度直接决定了用户体验。M58LR128KB85ZB5F TR正是为此而生。这颗128Mb并行NOR闪存，拥有85ns的极速访问时间和66MHz的高时钟频率，能让您的系统实现近乎零等待的代码执行，大幅提升响应效率。

它采用1.7V~2V低电压工作，有效帮助您降低系统整体功耗。同时，其宽广的-30°C至85°C工业级工作温度范围，确保在严苛环境下数据存储依然稳定可靠。无论是存储启动代码、操作系统还是关键参数，它都能让您的设计更稳健、更高效。

• 型号:M58LR128KB85ZB5F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7.7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:66 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
• M58LR128KB85ZB5F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。