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M58BW016FB7T3T TR 零件图片(仅供参考)

M58BW016FB7T3T TR
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M58BW016FB7T3T TR 规格参数

还在为关键任务系统寻找一颗值得托付的“记忆核心”吗?M58BW016FB7T3T TR正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的16Mb并行NOR闪存,能以70ns的高速访问,让您的微处理器瞬间获取启动代码和关键固件,确保系统响应迅捷如电。

它专为严苛环境而生,支持-40°C至125°C的极端工作温度,并兼容2.7V~3.6V的宽电压供电,让您的工业控制、汽车电子或通信设备无论在何种挑战下都能稳定运行。其表面贴装的80-BQFP封装,更便于您实现高效、可靠的PCB布局。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠性保障。

  • 制造商产品型号:M58BW016FB7T3T TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:16Mb(512K x 32)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:80-BQFP
  • M58BW016FB7T3T TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M58BW016FB7T3T TR 基本参数:

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