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还在为嵌入式系统寻找既能快速运行又能可靠存储的“全能型”记忆体吗？M39L0R8090U3ZE6F TR就是您的理想答案。这颗芯片巧妙地将NOR Flash与Mobile LPDDR SDRAM合二为一，让您在一颗133-VFBGA封装的芯片内，同时获得256Mb的稳固程序存储空间和512Mb的高速数据运行内存。

它能让您的设备启动更快、运行更流畅。NOR Flash部分确保您的核心代码和关键数据在断电后依然安全无虞，而高速的Mobile LPDDR SDRAM则作为系统的“工作台”，大幅提升数据吞吐和处理效率。其1.7V~1.95V的低电压设计和宽温工作范围，让您的产品在追求高性能的同时，也能轻松应对节能与严苛环境的挑战。

• 型号:M39L0R8090U3ZE6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:133-VFBGA（8x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLSH RAM 256MBIT PAR 133VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NOR，Mobile LPDDR SDRAM
• 存储容量:256Mb，512Mb
• 存储器组织:16M x 16，32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:133-VFBGA
• 供应商器件封装:133-VFBGA（8x8）
• M39L0R8090U3ZE6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。