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M29W800DB45ZE6F TR 零件图片(仅供参考)

M29W800DB45ZE6F TR
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M29W800DB45ZE6F TR 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一块高速、可靠的“程序仓库”吗?M29W800DB45ZE6F TR正是您理想的解决方案。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR闪存,能以45ns的极速访问时间,让您的处理器瞬间读取指令或数据,显著提升系统响应效率和启动速度。

它为您提供了灵活的1M x 8或512K x 16组织方式,并支持宽电压(2.7V-3.6V)供电,让您的电源设计更轻松。其工业级工作温度范围(-40°C ~ 85°C)确保了在严苛环境下依然稳定可靠,无论是车载电子、工业控制还是通信设备,都能胜任关键代码和参数的存储任务,为您的产品奠定坚实可靠的基础。

  • 型号:M29W800DB45ZE6F TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:48-TFBGA(6x8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:8Mb
  • 存储器组织:1M x 8,512K x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:45ns
  • 访问时间:45 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFBGA
  • 供应商器件封装:48-TFBGA(6x8)
  • M29W800DB45ZE6F TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M29W800DB45ZE6F TR 基本参数:

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