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还在为嵌入式系统的代码存储与快速执行寻找可靠的核心？M29W400DT55N6E正是您的高效解决方案。这颗美光4Mb并行NOR闪存芯片，能以高达55ns的极速访问时间，让您的微处理器无需等待，即刻获取指令与数据，显著提升系统响应性能与启动速度。

它为您提供了灵活的存储组织方式（512K x 8位或256K x 16位），并支持宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）工作，确保在各种严苛的工业、汽车及通信应用环境中稳定运行。其非易失特性让关键数据在断电后依然安全，表面贴装的紧凑封装则让您的PCB设计更从容。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过验证的、值得信赖的“记忆心脏”。

• 型号:M29W400DT55N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W400DT55N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。