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还在为嵌入式系统寻找一块可靠的数据‘基石’吗？M29W400DB45N6E就是您期待的答案。这颗美光科技的4Mb并行NOR闪存，能以45ns的快速访问时间，让您的处理器高效读取指令与数据，显著提升系统响应速度。其2.7V-3.6V的宽电压范围，则让您的设计在功耗控制上更加游刃有余。

它为您提供两种灵活的存储组织方式（512K x 8位或256K x 16位），轻松适配不同的数据总线需求。无论是存储关键的系统启动代码、固件程序，还是需要掉电保存的运行参数，M29W400DB45N6E都能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，确保您的设备在极端环境下依然可靠如初。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:M29W400DB45N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W400DB45N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。