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还在为系统启动或参数存储寻找一颗“守口如瓶”又“反应迅捷”的存储芯片吗？M29W400BT90M1T TR正是您理想的伙伴。这颗由美光科技打造的4Mb并行NOR Flash，能以低至90ns的速度响应您的读写指令，并在2.7V-3.6V的电压下高效节能地工作，让您的设备拥有快速、可靠的“记忆”。

它采用成熟的44-SOIC封装，便于您进行表面贴装生产，轻松集成到各类嵌入式设计中。无论是存储不可或缺的引导代码，还是记录关键的运行参数，其非易失特性都能确保数据在断电后安然无恙。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的稳定与高效。

• 型号:M29W400BT90M1T TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:90ns
• 访问时间:90 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.525，13.34mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• M29W400BT90M1T TR，Micron（美光）产品一站式供应商。