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您正在寻找一颗能为关键任务保驾护航的核心存储芯片吗？M29W256GH70N3E正是您理想的答案。这颗256Mb容量的并行NOR闪存，能以70ns的极速访问时间，让您的处理器高效获取指令与数据，显著提升系统响应能力。

它专为严苛环境而生，支持-40°C至125°C的宽温工作范围与2.7V~3.6V的宽电压供电，确保在工业控制、汽车电子等挑战性场景中依然稳定可靠。其非易失特性让数据在断电后安然无恙，而灵活的x8/x16位宽配置让您的系统设计更加游刃有余。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而稳定的‘记忆心脏’。

• 型号:M29W256GH70N3E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• M29W256GH70N3E，Micron（美光）产品一站式供应商。