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还在为嵌入式系统的代码存储与快速执行寻找可靠的核心？让M29W160EB70ZS6F TR为您提供强大助力！这颗由美光科技出品的16Mb并行NOR闪存，能以高达70ns的访问速度响应您的指令，确保系统高效运行。其2.7V-3.6V的宽电压设计，让您的设备在更广泛的电源条件下稳定工作。

无论是作为微控制器的程序存储器，还是存储关键的系统参数与数据，它都能轻松胜任。表面贴装的64-LBGA封装节省宝贵空间，而-40°C至85°C的工业级工作温度范围，更是让它能从容应对从车间到户外的各种严峻环境挑战。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:M29W160EB70ZS6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:16Mb
• 存储器组织:2M x 8，1M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W160EB70ZS6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。