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还在为关键嵌入式系统的代码存储和数据可靠性而担忧吗？让M29W128GSL70ZS6F TR为您提供坚实后盾！这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存，能以高达70ns的极速访问时间，让您的处理器高效执行代码，瞬间响应指令，彻底告别等待延迟。

它为您提供灵活的组织方式（16M x 8或8M x 16），并凭借2.7V-3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的宽广工作温度，轻松应对工业、汽车、通信等严苛环境挑战。其非易失特性确保断电后数据安全无虞，表面贴装的64-LBGA封装则让您的PCB设计更紧凑。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠承诺。

• 型号:M29W128GSL70ZS6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W128GSL70ZS6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。