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您正在寻找一颗能让系统启动更快、运行更稳的核心存储器吗？M29W128GH70ZS6F TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的128Mb并行NOR闪存，能以高达70ns的迅捷速度响应访问，确保您的处理器无需等待，即刻获取关键代码与数据，极大提升系统响应效率。

它为您提供灵活的组织结构（16M x 8或8M x 16）和宽广的电压支持（2.7V~3.6V），让您的电路设计更加游刃有余。其坚固的64-LBGA封装和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，意味着它能轻松应对各种严苛环境，从智能工厂到车载电子，都能稳定守护您的数据资产。选择它，就是为您的产品选择了一份经久考验的可靠与高效。

• 型号:M29W128GH70ZS6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W128GH70ZS6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。