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还在为嵌入式系统寻找一颗“扛得住”的存储核心吗？M29DW323DB70ZE6F TR正是您期待的答案。这颗美光出品的32Mb并行NOR闪存，能为您稳定、高效地存储关键的程序代码与系统数据，其工业级宽温（-40°C ~ 85°C）与宽电压（2.7V~3.6V）特性，让您的设备无论身处何种严苛环境，都能确保数据安全无忧，启动迅速可靠。

它采用48-TFBGA紧凑封装，节省宝贵的板级空间，70ns的快速访问时间显著提升系统响应效率。无论是用于工业控制、汽车电子还是通信设备，这颗芯片都能让您的设计轻松应对复杂挑战，实现持久稳定的高性能运行。

• 型号:M29DW323DB70ZE6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:32Mb
• 存储器组织:4M x 8，2M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29DW323DB70ZE6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。