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您正在寻找一颗能快速启动、可靠存储核心程序代码的闪存芯片吗？M28W640HCB70ZB6E正是您的理想解决方案。这颗64Mb并行NOR闪存，拥有仅70ns的快速访问时间，能让您的微控制器瞬间获取指令，大幅提升系统响应效率。

它采用2.7V至3.6V宽电压供电，并能在-40°C到85°C的工业级温度范围内稳定工作，确保您的设备即使在恶劣环境下也能可靠运行。其4M x 16位的存储结构，完美匹配主流MCU的数据总线，让您的设计集成更加轻松高效。

选择它，就是为您的工业控制、通信设备或汽车电子系统注入一颗强劲而可靠的“记忆心脏”，让产品性能表现更加卓越稳定。

• 型号:M28W640HCB70ZB6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
• M28W640HCB70ZB6E，Micron（美光）产品一站式供应商。