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还在为嵌入式系统的代码存储与执行效率寻找最优解吗？JS28F256M29EWLB TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存，能为您提供高速、可靠的代码存储与直接执行（XIP）能力，让您的系统摆脱RAM加载的束缚，实现更快的启动速度和更流畅的实时响应。

它拥有110ns的快速访问时间，支持灵活的8位或16位数据宽度（32M x 8或16M x 16），让数据吞吐高效顺畅。宽达2.7V至3.6V的工作电压和-40°C到85°C的工业级温度范围，确保您的设备即使在苛刻环境下也能稳定运行。采用56-TSOP封装，便于表面贴装，轻松集成到您的PCB设计中，是工业控制、汽车电子、网络通信等高端应用的理想存储核心。

• 型号:JS28F256M29EWLB TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8，16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:110ns
• 访问时间:110 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• JS28F256M29EWLB TR，Micron（美光）产品一站式供应商。