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还在寻找能同时满足高性能与低功耗需求的存储核心吗？EDF8164A3PK-JD-F-R TR就是您的理想答案。这颗8Gb容量的移动版LPDDR3 DRAM芯片，能以高达933MHz的速度疾速处理数据，让您的移动设备、车载系统或智能终端轻松应对多任务与复杂运算，用户体验从此告别卡顿，流畅如飞。

它更懂您的能效焦虑。宽广的1.14V~1.95V电压范围支持，让芯片能够智能调节功耗，在需要爆发力时全力输出，在待机时极致省电，完美平衡性能与续航。其坚固的216球FBGA封装和宽达-30°C至85°C的工作温度范围，则确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，为您产品的品质保驾护航。

• 制造商产品型号：EDF8164A3PK-JD-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量：8Gb（128M x 64）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：933MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：216-WFBGA
• EDF8164A3PK-JD-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。