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EDF8164A3MC-GD-F-R 零件图片(仅供参考)

EDF8164A3MC-GD-F-R
Micron 订单到达,马上发货

EDF8164A3MC-GD-F-R 规格参数

还在为移动设备的运行速度寻找强劲动力吗?EDF8164A3MC-GD-F-R就是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb LPDDR3移动内存芯片,能以高达800MHz的频率疾速运行,为您的高性能智能手机、平板或便携设备注入澎湃的数据处理能力,让多任务切换、高清影音和大型游戏体验都无比流畅。

它采用先进的低功耗设计,工作电压范围宽广(1.14V~1.95V),并能在-30°C至85°C的严苛温度下稳定工作,显著优化设备的续航与散热表现。选择它,就是为您的产品选择了高效、可靠的内存核心,轻松应对各种复杂应用场景的挑战。

  • 制造商产品型号:EDF8164A3MC-GD-F-R
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:8Gb(128M x 64)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • EDF8164A3MC-GD-F-R,Micron(美光)产品一站式供应商。
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EDF8164A3MC-GD-F-R 基本参数:

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