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更重要的是，它采用了先进的移动LPDDR2技术，工作电压可低至1.14V，能有效降低系统整体功耗，延长电池续航，让您的移动设备更具竞争力。其坚固的216-WFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），确保它能在各种苛刻环境下稳定运行，为您产品的可靠性与耐用性保驾护航。选择它，就是为您的设计注入一颗高效、可靠且节能的强大心脏。

• 型号:EDB8164B4PT-1D-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PT-1D-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。