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更令人心动的是它的能效表现。1.14V~1.95V的宽电压支持，结合先进的移动低功耗技术，让您的产品在性能全开时也能最大限度地节约电能，显著延长电池续航时间。无论是嵌入平板电脑、智能手持终端还是车载系统，它都能让您的设计游刃有余，轻松实现高性能与长续航的完美平衡。

• 型号:EDB8164B4PT-1D-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PT-1D-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。