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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？让EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D为您开启高效新篇章！这颗由美光科技打造的4Gb移动LPDDR2 SDRAM，是专为追求高性能与低功耗平衡的现代智能设备量身定制。它以533MHz的时钟频率和并行接口，为您带来疾速的数据吞吐体验，无论是应用切换还是多媒体处理都无比流畅。

更关键的是，它懂得如何“精打细算”。1.14V~1.95V的宽电压供电范围，结合LPDDR2的低功耗技术，能显著延长您设备的电池续航时间。同时，其坚固的134-BGA封装和-40°C至125°C的宽工作温度范围，确保了在各种严苛环境下的稳定运行。选择它，就是选择了一个让您产品性能飙升、运行更稳定、设计更省心的强大内存解决方案。

• 型号:EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
• EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。