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还在寻找能让您的移动设备“快人一步”又“耐力持久”的内存核心吗？EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的4Gb移动LPDDR2 DRAM，拥有高达533MHz的运行频率和128M x 32的配置，能为您的高速处理器提供充沛、稳定的数据带宽，让您的应用程序加载更快、多任务切换更流畅。

它专为严苛环境设计，支持-40°C至105°C的宽温工作范围，并具备1.14V~1.95V的宽电压供电能力，确保您的产品无论是在炎夏户外还是寒冬车内，都能保持稳定高效的运行。其紧凑的134-WFBGA表面贴装封装，让您能轻松实现更小巧、更集成的产品设计，同时显著优化整体功耗，为终端用户带来更长的续航时间。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
• EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。