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还在为嵌入式系统的数据瓶颈而困扰吗？让EDB1316BDBH-1DAAT-F-D为您带来颠覆性的体验。这颗来自美光科技的1Gb移动LPDDR2 DRAM，凭借533MHz的高时钟频率和并行接口，能显著提升您系统的数据交换速度，让应用程序运行如飞，彻底告别卡顿与延迟。

它专为严苛环境而生，支持-40°C至105°C的宽温工作范围和1.14V~1.95V的宽电压供电，确保您的设备在工业、车载、户外等复杂条件下依然稳定可靠。其小巧的134-VFBGA封装更让您轻松实现高密度板级设计，为产品小型化赋能。选择它，就是为您的项目选择了高效、耐用与安心。

• 型号:EDB1316BDBH-1DAAT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB1316BDBH-1DAAT-F-D，Micron（美光）产品一站式供应商。